TOKYO, 30 marzo 2016 - Mitsubishi Electric Corporation (TOKYO: 6503) ha annunciato oggi che inizierà la spedizione dei campioni di 17 nuovi modelli di moduli semiconduttori di potenza serie T dotati di transistor bipolari a gate isolato (IGBT) di settima generazione. I nuovi moduli hanno una potenza nominale di 1,7 kV e offrono una perdita di potenza e un'affidabilità migliorate per gli inverter generici, i gruppi di continuità (UPS), i sistemi fotovoltaici (PV), i sistemi di generazione di energia eolica e altre apparecchiature industriali. Le spedizioni di campioni avranno inizio il 30 settembre.

I moduli saranno esposti in occasione delle principali fiere, incluse MOTORTECH JAPAN 2016 durante l'evento TECHNO-FRONTIER 2016, in Giappone, dal 20 al 22 aprile, Power Conversion Intelligent Motion (PCIM) Europe 2016 a Norimberga, in Germania, dal 10 al 12 maggio, e PCIM Asia 2016 a Shanghai, in Cina, dal 28 al 30 giugno.

Pacchetto pin per saldatura tipo NX

Pacchetto pin per saldatura tipo NX

Pacchetto pin per montaggio a pressione tipo NX

Pacchetto pin per montaggio a pressione tipo NX

Pacchetto tipo standard

Pacchetto tipo standard

Caratteristiche del prodotto

1)
La linea è stata ampliata con 17 modelli di potenza nominale di 1,7 kV utilizzabili per una vasta gamma di capacità di inverter
-I nuovi modelli includono 12 unità del tipo NX (sei con pacchetto pin per saldatura e sei con pacchetto pin per montaggio a pressione) con potenze nominali variabili da 100 A a 600 A, inoltre, cinque modelli con pacchetto standard, variabili da 75 A a 300 A.
- Per inverter di sistemi PV con CA 690 V / CC 1000 V e per una vasta gamma di capacità di inverter.

2)
Perdita di potenza ridotta grazie al diodo e IGBT di settima generazione
-Il chip CSTBTTM 1 di settima generazione con potenza nominale di 1,7 kV consente di ottenere una bassa perdita di potenza e bassa interferenza elettromagnetica (EMI).
- Il chip a diodo RFC (Relaxed Field of Cathode)2 che incorpora il nuovo processo di diffusione posteriore consente di ottenere una bassa perdita di potenza e la soppressione dei picchi di tensione di ritorno.
1 Chip IGBT originale Mitsubishi Electric con effetto immagazzinamento di carica incorporato
2 Lo strato P è stato aggiunto parzialmente sul lato del catodo e l'iniezione nel foro avviene durante il periodo di recovery per ammorbidire la forma dell'onda di recovery


3)
La più recente tecnologia del pacchetto migliora l'affidabilità del pacchetto standard de facto
-La struttura interna è stata migliorata e mantiene la compatibilità con il pacchetto standard de facto.
- L'integrazione dell'isolamento e la base in rame nel substrato, insieme alla struttura interna degli elettrodi migliorata, favoriscono l'aumento della durata del ciclo termico3e riducono l'induttanza interna; di conseguenza le prestazioni dell'apparecchiatura diventano più affidabili.
3 Durata collaudata con test di resistenza con un ciclo di temperatura relativamente lungo tra due temperature del contenitore
Spedizioni dei campioni
Pacchetto Tensione nominale Corrente nominale Spedizione
Pacchetto pin per saldatura tipo NX
1,7 kV 100, 150, 225, 300, 450, 600 A Dal 30 settembre
Pacchetto pin per montaggio a pressione tipo NX
100, 150, 225, 300, 450, 600 A
Pacchetto tipo standard
75, 100, 150, 200, 300 A

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