PER RILASCIO IMMEDIATO N. 3016
17 nuovi modelli che potranno meglio soddisfare le esigenze di apparecchiature industriali altamente affidabili e a bassissima perdita di potenza
TOKYO, 30 marzo 2016 - Mitsubishi Electric Corporation (TOKYO: 6503) ha annunciato oggi che inizierà la spedizione dei campioni di 17 nuovi modelli di moduli semiconduttori di potenza serie T dotati di transistor bipolari a gate isolato (IGBT) di settima generazione. I nuovi moduli hanno una potenza nominale di 1,7 kV e offrono una perdita di potenza e un'affidabilità migliorate per gli inverter generici, i gruppi di continuità (UPS), i sistemi fotovoltaici (PV), i sistemi di generazione di energia eolica e altre apparecchiature industriali. Le spedizioni di campioni avranno inizio il 30 settembre.
I moduli saranno esposti in occasione delle principali fiere, incluse MOTORTECH JAPAN 2016 durante l'evento TECHNO-FRONTIER 2016, in Giappone, dal 20 al 22 aprile, Power Conversion Intelligent Motion (PCIM) Europe 2016 a Norimberga, in Germania, dal 10 al 12 maggio, e PCIM Asia 2016 a Shanghai, in Cina, dal 28 al 30 giugno.
Pacchetto | Tensione nominale | Corrente nominale | Spedizione |
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Pacchetto pin per saldatura tipo NX |
1,7 kV | 100, 150, 225, 300, 450, 600 A | Dal 30 settembre |
Pacchetto pin per montaggio a pressione tipo NX |
100, 150, 225, 300, 450, 600 A | ||
Pacchetto tipo standard |
75, 100, 150, 200, 300 A |
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