DA PUBBLICARE IMMEDIATAMENTE N. 3053

Il presente testo è una traduzione della versione inglese ufficiale del comunicato stampa e viene fornito unicamente per comodità a scopo di riferimento. Fare riferimento al testo inglese originale per conoscere i dettagli e/o le specifiche. In caso di eventuali discrepanze, prevale il contenuto della versione inglese originale.

Mitsubishi Electric amplia la linea dei transistor a effetto di campo ad alta mobilità elettronica basati su nitruro di gallio (GaN-HEMT) in banda Ku

L'elevata potenza di uscita dei nuovi modelli aiuterà a ridurre le dimensioni delle stazioni satellitari terrestri

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TOKYO, 27 settembre 2016 - Mitsubishi Electric Corporation (TOKYO: 6503) ha annunciato oggi l'ampliamento della sua linea di transistor a effetto di campo ad alta mobilità elettronica basati su nitruro di gallio (GaN-HEMT) che prevede l'inserimento di unità con potenza di uscita di 100 W e 70 W, destinate alle stazioni satellitari terrestri che utilizzano la banda Ku*. Il nuovo GaN-HEMT da 100 W offre una potenza di uscita tra le più alte attualmente disponibili, secondo una ricerca condotta e annunciata da Mitsubishi Electric il 27 settembre. Mitsubishi Electric inizierà a spedire i primi campioni il 1° ottobre.

*Banda in microonde 12-18 GHz

A sinistra: MGFK50G3745
A destra: MGFK48G3745

La domanda relativa alle comunicazioni satellitari è in aumento, in particolare per quanto riguarda la banda Ku, poiché permette una comunicazione ad alta velocità anche in condizioni avverse, quali le catastrofi naturali, oltre che in aree dove la costruzione di strutture di comunicazione si presenta difficoltosa. Negli ultimi anni è diventata più comune l'implementazione di apparecchiature per trasmettitori che utilizzano GaN-HEMT di potenza più elevata, in particolar modo per applicazioni ad alta velocità quali i sistemi per la ritrasmissione di informazioni via satellite (SNG, Satellite News Gathering).

Mitsubishi Electric intende ampliare la linea di GaN-HEMT in banda Ku per soddisfare la crescente domanda di livelli di potenza di uscita più elevati; lo farà grazie all'introduzione del modello MGFK50G3745 che vanta una potenza di uscita di 100 W, unica nel settore, e del modello MGFK48G3745 con potenza di uscita di 70 W.

Caratteristiche del prodotto

1)
Un contributo alla miniaturizzazione grazie a una potenza di uscita unica nel settore
-Ottimizzazione della struttura del transistor grazie al modello MGFK50G3745 che fornisce una potenza di uscita di 100 W, ideale per le stazioni satellitari terrestri che utilizzano la banda Ku
-GaN-HEMT con un minor numero di componenti per dare un contributo alla miniaturizzazione delle apparecchiature di trasmissione nelle stazioni terrestri satellitari
2)
Ampliamento della linea di prodotti per soddisfare le esigenze più diverse
-I nuovi modelli da 100 W e 70 W sono in grado di soddisfare le esigenze più varie in termini di valori nominali di potenza di uscita delle apparecchiature di trasmissione per le stazioni satellitari terrestri
-I singoli componenti del trasmettitore possono essere configurati indipendentemente in fase di produzione, pertanto si elimina la necessità di configurarli in loco e si riducono i tempi di sviluppo totali
-Come stadio pilota utilizzano l'amplificatore di potenza esistente MGFG5H1503 e, in questo modo, sfruttano il dispositivo linearizzatore di quest'ultimo per favorire la riduzione della distorsione nei trasmettitori di potenza
Programma di vendita
Prodotto Applicazione Modello Panoramica Spedizione
Frequenza Potenza
di uscita
satura
Guadagno
lineare
GaN-
HEMT
in banda Ku
Stazioni satellitari
terrestri
MGFK50G3745 13,75-14,5
GHz
50,0 dBm
(100 W)
10,0 dB 1° gen. 2017
MGFK48G3745 48,3 dBm
(70 W)
10,0 dB 1° ott. 2016

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