DA PUBBLICARE IMMEDIATAMENTE N. 3085

Il presente testo è una traduzione della versione inglese ufficiale del comunicato stampa e viene fornito unicamente per comodità di consultazione. Fare riferimento al testo inglese originale per conoscere i dettagli e/o le specifiche. In caso di eventuali discrepanze, prevale il contenuto della versione inglese originale.

Mitsubishi Electric si prepara a lanciare il diodo a barriera Schottky in carburo di silicio

Riduce la perdita di potenza e le dimensioni fisiche dei sistemi di alimentazione

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TOKYO, 1 marzo 2017 - Mitsubishi Electric Corporation (TOKYO: 6503) ha annunciato oggi il lancio di un diodo a barriera Schottky in carburo di silicio (SiC-SBD) che integra una struttura a barriera Schottky con giunzione (JBS) che consente di ridurre la perdita di potenza e le dimensioni fisiche dei sistemi di alimentazione per condizionatori d'aria, sistemi fotovoltaici e altri sistemi, caratterizzato da un'efficacia immediata.

SiC-SBD (BD20060T)

SiC-SBD (BD20060S)

Caratteristiche del prodotto

1)
Il carburo di silicio contribuisce a ridurre il consumo energetico e offre dimensioni compatte
-La conversione di energia ottimizzata consente di ottenere circa il 21% in meno di perdita di potenza rispetto ai prodotti in silicio (Si)
-Esso permette una commutazione ad alta velocità e la riduzione delle dimensioni dei componenti periferici quali i reattori
2)
Affidabilità migliorata grazie alla struttura a barriera Schottky con giunzione (JBS)
-Combina la barriera Schottky con la giunzione p-n
-La struttura JBS consente di ottenere un'elevata affidabilità

Programma di vendita

Serie Modello Package Specifica Spedizione
SiC-SBD BD20060T TO-220 20 A/600 V 1° marzo 2017
BD20060S TO-247 1° settembre 2017

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