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DA PUBBLICARE IMMEDIATAMENTE N. 3323

TOKYO, 12 dicembre 2019 - Mitsubishi Electric Corporation (TOKYO: 6503) ha annunciato oggi l'ampliamento della sua gamma di transistor a effetto di campo ad alta mobilità elettronica basati su nitruro di gallio (GaN-HEMT) per le stazioni terrestri per comunicazioni satellitari (SATCOM) con l'aggiunta di nuovi GaN-HEMT in banda Ku (12-18 GHz) da 70 W e 100 W, adatti per l'applicazione nei sistemi multi-carrier. Il modello di GaN-HEMT da 70 W consente di ottenere una bassa distorsione di intermodulazione del terzo ordine (IMD3)* con un'ampia frequenza di offset^** fino a 400 MHz, considerata la migliore nel settore, mentre il modello di GaN-HEMT da 100 W combina un'impareggiabile potenza di uscita con una bassa IMD3 e una frequenza di offset fino a 200 MHz. Mitsubishi Electric inizierà a spedire i primi campioni di entrambi i modelli il 15 gennaio.

1. *Misura delle prestazioni della distorsione di un amplificatore in caso di segnali a due toni
2. **Differenza di frequenza tra segnali a due toni utilizzati nelle misurazioni IMD3

GaN-HEMT per le stazioni terrestri SATCOM in banda Ku
A sinistra: MGFK50G3745A (100 W) A destra: MGFK48G3745A (70 W)

La richiesta di comunicazioni satellitari in banda Ku e di sistemi per la ritrasmissione di informazioni via satellite (SNG) è in rapida crescita; si rendono infatti necessarie per il supporto alle comunicazioni nel corso di catastrofi naturali e nelle zone rurali dove è difficile l'installazione di attrezzature di rete via cavo. Inoltre, aumentano le esigenze relative a comunicazioni ad alta velocità e di sempre maggiore capacità per le comunicazioni satellitari con sistemi multi-carrier e single-carrier. Si prevede che i nuovi GaN-HEMT di Mitsubishi Electric faranno accelerare la realizzazione di stazioni terrestri più piccole e di comunicazioni più veloci e di maggiore capacità per le diverse esigenze.

Programma di vendita

Caratteristiche del prodotto

1. 1)Ampia frequenza di offset leader del settore fino a 400 MHz per comunicazioni satellitari ad alta capacità
   • Il modello MGFK48G3745A utilizza un nuovo circuito di accoppiamento per offrire un'ampia frequenza di offset leader del settore, maggiore di 80 volte rispetto a quella dei modelli attuali, con bassa IMD3 e ampia frequenza di offset fino a 400 MHz, per comunicazioni satellitari ad alta velocità e grande capacità, anche per i sistemi multi-carrier.
2. 2)L'impareggiabile potenza di uscita fino a 100 W contribuirà a ridurre le dimensioni delle stazioni terrestri SATCOM
   • Il modello MGFK50G3745A si avvale di circuiti di accoppiamento dei transistor ottimizzati per erogare 100 W di potenza di picco in uscita e una bassa IMD3 per contribuire al ridimensionamento delle stazioni terrestri SATCOM, grazie alla riduzione dei componenti di bordo.

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