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Mitsubishi Electric si prepara a lanciare il SiC-MOSFET serie N da 1200 VBasso consumo energetico e miniaturizzazione dei sistemi di alimentazione, ad esempio i caricabatterie di bordo per veicoli elettrici e sistemi fotovoltaici

Il presente testo è una traduzione della versione inglese ufficiale del comunicato stampa e viene fornito unicamente per comodità di consultazione. Fare riferimento al testo inglese originale per conoscere i dettagli e/o le specifiche. In caso di eventuali discrepanze, prevale il contenuto della versione inglese originale.

DA PUBBLICARE IMMEDIATAMENTE N. 3361

TOKYO, 16 giugno 2020 - Mitsubishi Electric Corporation (TOKYO: 6503) ha annunciato oggi il lancio del transistor metallo-ossido-semiconduttore a effetto di campo (MOSFET) in carburo di silicio (SiC) serie N da 1200 V, caratterizzato da bassa perdita di potenza ed elevata tolleranza¹ all'attivazione automatica. Questa nuova serie contribuirà alla riduzione del consumo energetico e alla miniaturizzazione dei sistemi di alimentazione che richiedono la conversione di alta tensione, quali i caricabatterie di bordo per veicoli elettrici (EV), sistemi fotovoltaici e altro ancora. La spedizione dei campioni avrà inizio il prossimo luglio.

Mitsubishi Electric esporrà il suo nuovo SiC-MOSFET serie N da 1200 V in occasione dei principali eventi fieristici, tra i quali PCIM Asia 2020 a Shanghai, in Cina, dal 16 al 18 novembre.

1Capacità di ingresso/capacità di trasferimento (Ciss/Crss), secondo i calcoli di Mitsubishi Electric

SiC-MOSFET serie N da 1200 V

Caratteristiche del prodotto

1)Consumo energetico ridotto e miniaturizzazione dei sistemi di alimentazione
- La tecnologia di drogaggio del transistor a effetto di campo a giunzione (JFET) riduce la perdita di commutazione e la resistenza di ON, in questo modo permette di ottenere una cifra di merito (FOM³) leader del settore ² di 1.450 mΩ·nC. Il consumo energetico nei sistemi di alimentazione viene ridotto dell'85% circa, rispetto all'utilizzo di Si-IGBT convenzionali.
- Riducendo la capacità di trasferimento⁴, la tolleranza all'attivazione automatica migliora di 14 volte rispetto ai prodotti della concorrenza. In questo modo, è possibile realizzare un funzionamento a commutazione rapida e ridurre la perdita di commutazione.
- La ridotta perdita di potenza di commutazione consente il ridimensionamento e la semplificazione dei sistemi di raffreddamento, nonché il ridimensionamento dei componenti periferici, come il reattore, azionando il semiconduttore di potenza con una frequenza portante più elevata⁵ e contribuendo, quindi, alla riduzione dei costi e delle dimensioni dei sistemi di alimentazione nel complesso.
1. 2Dal 16 giugno 2020, secondo la ricerca di Mitsubishi Electric
2. 3Indice di prestazioni del MOSFET di potenza, calcolato moltiplicando la resistenza di ON per la carica di gate-drain (temperatura di giunzione 100 °C). Valori minori indicano prestazioni migliori
3. 4Capacità parassita tra gate e drain presente nella struttura MOSFET (Crss)
4. 5Frequenza che determina la temporizzazione ON/OFF dell'elemento di commutazione in un circuito invertitore
2)Sei modelli per varie applicazioni, inclusi i modelli conformi alla specifica AEC-Q101
- La linea di prodotti include modelli qualificati in conformità agli standard AEC-Q101 dell'Automotive Electronics Council. Pertanto, il SiC-MOSFET serie N può essere utilizzato non soltanto in applicazioni industriali quali i sistemi fotovoltaici, ma anche nei caricabatterie di bordo dei veicoli elettrici.

Programma di vendita

Prodotto	Standard	Modello	V_DS	R_{DS(on)_typ.}	Idmax@25_{Dmax@25 °C}	Pacchetto	Disponibilità
SiC-MOSFET	AEC-Q101	BM080N120SJ	1200 V	80 mΩ	38 A	TO-247-3	Luglio 2020
		BM040N120SJ		40 mΩ	68 A
		BM022N120SJ		22 mΩ	102 A
	-	BM080N120S		80 mΩ	38 A
		BM040N120S		40 mΩ	68 A
		BM022N120S		22 mΩ	102 A