Il presente testo è una traduzione della versione inglese ufficiale del comunicato stampa e viene fornito unicamente per comodità di consultazione. Fare riferimento al testo inglese originale per conoscere i dettagli e/o le specifiche. In caso di eventuali discrepanze, prevale il contenuto della versione inglese originale.

DA PUBBLICARE IMMEDIATAMENTE N. 3367

TOKYO, 25 agosto 2020 - Mitsubishi Electric Corporation (TOKYO: 6503) ha annunciato oggi il lancio del modulo transistor bipolare a gate isolato (IGBT) T-Series tipo LV100 per uso industriale. Il package LV100, che garantisce un'elevata versatilità e densità della corrente, è stato ampiamente utilizzato in applicazioni ferroviarie e del settore dell'energia elettrica e ora è stato adattato per usi industriali. Si prevede che possa contribuire a ridurre le dimensioni e la perdita di potenza dei convertitori di potenza, in particolare per gli inverter utilizzati per le applicazioni a energia rinnovabile, ad esempio per gli impianti fotovoltaici ed eolici, nonché azionamenti per motori a elevata capacità. Le vendite inizieranno a settembre.

Modulo IGBT T-Series tipo LV100 per uso industriale

Caratteristiche del prodotto

1. 1)Package LV100 comune adattato e ottimizzato per l'uso industriale
   • Il package LV100, ampiamente utilizzato in applicazioni ferroviarie e del settore dell'energia elettrica, è stato adattato e ottimizzato per aiutare a standardizzare i package per le applicazioni industriali.
2. 2)Densità della corrente leader del settore per inverter di piccole dimensioni a elevata efficienza energetica
   • Il modello LV100 è dotato del più recente IGBT (di 7^a generazione), che utilizza la struttura CSTBT™ ¹ e il diodo RFC (Relax Field of Cathode)² per una bassa perdita di potenza. La densità della corrente leader del settore³ pari a 17,14 A/cm2, si ottiene in questo modulo IGBT ad alta potenza ottimizzando la struttura del package. Il package consente di miniaturizzare i convertitori di potenza, come gli inverter per fonti di energia rinnovabili e azionamenti per motori a elevata capacità (1700 V/1200 A e 1200 V/1200 A).
   1. 1La struttura IGBT originale di Mitsubishi Electric utilizza l'effetto carrier-store
   2. 2Il diodo originale di Mitsubishi Electric ottimizza la mobilità elettronica sul lato del catodo
   3. 3Dal 25 agosto 2020, secondo le ricerche di Mitsubishi Electric
3. 3)Struttura interna ottimizzata per sistemi inverter più affidabili
   • L'integrazione dell'isolamento e della base in rame nella struttura e l'ottimizzazione della struttura interna dell'elettrodo aumentano la durata del ciclo termico⁴ e garantiscono la più alta induttanza del low-package, considerata la migliore nel settore³, che contribuisce all'affidabilità dell'apparecchiatura.
   • Il layout dei morsetti è ottimizzato per un facile collegamento in parallelo e per configurazioni e capacità flessibili dell'inverter.
   • I tre morsetti CA principali distribuiscono ed equalizzano la densità della corrente per aumentare la capacità dell'inverter.
   1. 4Durata determinata dalle sollecitazioni dovute alle variazioni relativamente graduali della temperatura generate dall'avvio e dall'arresto del sistema

Programma di vendita

1. 5CM800DW-34TA utilizza un grande diodo free-wheeling

• Versione PDF (PDF: 255 KB)

Richieste di informazioni

Contatto per i media

• Public Relations Division Mitsubishi Electric Corporation

Richieste dei clienti

• Power Device Overseas Marketing Dept.A and Dept.B Mitsubishi Electric Corporation