Il presente testo è una traduzione della versione inglese ufficiale del comunicato stampa e viene fornito unicamente per comodità di consultazione. Fare riferimento al testo inglese originale per conoscere i dettagli e/o le specifiche. In caso di eventuali discrepanze, prevale il contenuto della versione inglese originale.

DA PUBBLICARE IMMEDIATAMENTE N. 3389

TOKYO, 17 dicembre 2020 – Mitsubishi Electric Corporation (TOKYO: 6503) ha annunciato oggi il prossimo lancio di due nuovi moduli HVIGBT X-Series dual type HV100 in grado di garantire maggiore potenza, efficienza e affidabilità nei sistemi inverter per grandi apparecchiature industriali, come sistemi ferroviari e del settore dell'energia elettrica. I moduli raggiungono valori nominali di corrente dual type a 600 A leader del settore^* con una tensione di isolamento di 10 kVrms, ritenuta senza precedenti tra i moduli in silicio HVGBT con valore nominale di 3,3 kV. La spedizione dei campioni inizierà ad aprile 2021.

1. *Secondo le ricerche di Mitsubishi Electric alla data del 17 dicembre 2020.

Modulo HVIGBT X-Series dual type HV100

Caratteristiche del prodotto

1. 1)Valore nominale di 600 A leader del settore per una capacità aumentata
   • Il valore nominale di corrente di 600 A, il più elevato tra i dual type a densità di corrente elevata con tensione di isolamento di 10 kVrms e tensione collettore-emettitore di 3,3 kV, consentirà di realizzare sistemi inverter ad alta potenza ed elevata efficienza per grandi apparecchiature industriali, come sistemi ferroviari elettrici e di trasmissione in CC.
   • Gli IGBT di settima generazione che incorporano diodi CSTBT e RFC raggiungono una densità di potenza di 8,57 A/cm², un dato mai raggiunto prima dagli altri moduli in silicio (versione da 3,3 kV/600 A).
2. 2)Tensione di isolamento elevata e semplicità di collegamento in parallelo per capacità e configurazioni di circuito flessibili
   • Il package HV100 con tensione di isolamento di 10 kVrms contribuirà a semplificare la progettazione dell'isolamento in circuiti multilivello per grandi apparecchiature industriali.
   • Il layout dei morsetti è ottimizzato per facilitare la messa in parallelo e per configurazioni degli inverter più flessibili.
3. 3)Nuova struttura del package per sistemi inverter più affidabili
   • L'integrazione della piastra di isolamento e del dissipatore consente di aumentare la durata del ciclo termico per cicli di temperature del case relativamente lunghi.
   • La bassa resistenza termica aumenta la durata del ciclo di potenza per ottenere cicli di temperature del chip relativamente brevi.

Programma di vendita

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Richieste di informazioni

Contatto per i media

• Public Relations Division Mitsubishi Electric Corporation

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• Power Device Overseas Marketing Dept.A and Dept.B Mitsubishi Electric Corporation