Il presente testo è una traduzione della versione inglese ufficiale del comunicato stampa e viene fornito unicamente per comodità di consultazione. Fare riferimento al testo inglese originale per conoscere i dettagli e/o le specifiche. In caso di eventuali discrepanze, prevale il contenuto della versione inglese originale.

DA PUBBLICARE IMMEDIATAMENTE N. 3417

TOKYO, 9 giugno 2021 - Mitsubishi Electric Corporation (TOKYO: 6503) ha annunciato oggi il prossimo lancio, previsto per il 30 giugno, del modulo transistor bipolare a gate isolato (IGBT) T-series da 2,0 kV per il settore industriale; il primo IGBT al mondo¹ con tensione ammissibile di 2,0 kV. Il modulo è ideale per aumentare l'efficienza e ridurre le dimensioni dei convertitori di potenza per l'energia rinnovabile, che sono molto richiesti a causa del crescente utilizzo di sistemi di alimentazione a energia rinnovabile. Il modulo sarà presentato in occasione dell'esposizione virtuale Applied Power Electronics Conference (APEC) 2021 dal 15 al 16 giugno.

1. 1Secondo le ricerche di Mitsubishi Electric alla data del 9 giugno 2021

Modulo IGBT T-series da 2,0 kV per il settore industriale (2,0 kV/400 A)

Caratteristiche del prodotto

1. 1)Il primo IGBT al mondo con tensione ammissibile di 2,0 kV per convertitori di potenza da 1500 V CC più compatti
   • Il primo IGBT al mondo con valore nominale di 2,0 kV adatto per convertitori di potenza da 1500 V CC, difficili da progettare utilizzando IGBT convenzionali con valore nominale di 1,7 kV.
   • Consente lo sviluppo di convertitori di potenza da 1500 V CC più semplici e piccoli senza la necessità di una topologia complessa, come NPC (collegamento di tipo I) a tre livelli.²
   1. 2Topologia del circuito costituita da quattro IGBT collegati in serie e due diodi flyback collegati al punto neutro della tensione in un ramo
2. 2)I diodi IGBT e RFC di settima generazione aiutano a ridurre la perdita di potenza nei convertitori di potenza
   • Adatti per applicazioni ad alta tensione e a bassa perdita di potenza come il più recente IGBT (settima generazione) con struttura CSTBT™ ³ e diodi RFC (Relax Field of Cathode)⁴ ottimizzati per un'elevata tensione ammissibile.
   1. 3L'esclusivo IGBT di Mitsubishi Electric che utilizza l'effetto carrier cumulativo
   2. 4Il diodo originale di Mitsubishi Electric ottimizza la mobilità elettronica sul lato del catodo

I semiconduttori di potenza per un controllo efficiente dell'alimentazione elettrica sono ideali per un campo di applicazione più ampio e sono sempre più richiesti in quanto dispositivi chiave che possono contribuire a ridurre l'impronta di carbonio della società globale. Nel frattempo, le reti elettriche che utilizzano fonti di energia rinnovabili hanno l'obbligo di garantire un'efficienza di conversione della potenza sempre più elevata grazie all'implementazione di tensioni di esercizio del sistema più elevate. A tale scopo, sono stati sviluppati convertitori di potenza con valore nominale di 1500 V CC, il limite superiore della direttiva sulla bassa tensione⁵. In risposta, Mitsubishi Electric lancerà presto il suo IGBT T-series da 2,0 kV, adatto per convertitori di potenza da 1500 V CC, che dovrebbe contribuire a semplificare la progettazione e a ridurre le dimensioni di tali convertitori, nonché ad aumentarne l'efficienza.

1. 5Norme di sicurezza comuni che consentono l'utilizzo di apparecchiature elettriche approvate da qualsiasi paese membro dell'UE in tutti gli altri paesi dell'UE

Specifiche

• Versione PDF (PDF : 197KB)

Richieste di informazioni

Contatto per i media

• Public Relations Division Mitsubishi Electric Corporation

Richieste dei clienti

• Power Device Overseas Marketing Dept.A and Dept.B Mitsubishi Electric Corporation