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DA PUBBLICARE IMMEDIATAMENTE N. 3537

Modulo MOSFET RF al silicio ad alta potenza (RA50H7687M1)

TOKYO, 14 luglio 2022 – Mitsubishi Electric Corporation (TOKYO: 6503) ha annunciato oggi che il 1° agosto lancerà un modulo MOSFET (transistor metallo-ossido-semiconduttore a effetto di campo) a radiofrequenza (RF) al silicio ad alta potenza da utilizzare negli amplificatori di potenza ad alta frequenza delle ricetrasmittenti radio commerciali. Si prevede che questo modello leader del settore¹, che offre un'uscita di potenza di 50 W nella banda da 763 MHz a 870 MHz e un'elevata efficienza totale² del 40%, contribuirà ad ampliare la portata delle comunicazioni radio e a ridurre il consumo energetico.

Le bande di frequenza da 150 MHz e 400 MHz utilizzate per vari sistemi wireless sono diventate congestionate in Nord America e in altri mercati, quindi, in risposta alle nuove esigenze, la banda da 700 MHz utilizzata in precedenza per le trasmissioni televisive analogiche, è stata riassegnata per le ricetrasmittenti radio commerciali, aumentando la domanda di radio che supportano questa banda. Tuttavia, gli amplificatori di potenza convenzionali sono soggetti a una notevole perdita di potenza, quindi sono necessari moduli MOSFET RF ad alta potenza che offrano un circuito integrato di accoppiamento dell'impedenza di ingresso/uscita³ e prestazioni di potenza di uscita garantite. Si prevede che il nuovo MOSFET RF al silicio ad alta potenza (RA50H7687M1), in grado di ottenere un'uscita di potenza senza pari e un'elevata efficienza totale per le radio commerciali compatibili con la banda a 700 MHz, amplierà la portata di comunicazione e diminuirà il consumo energetico di tali radio.

1. 1In data 14 luglio 2022, secondo la ricerca di Mitsubishi Electric sugli amplificatori di potenza nella banda da 763 MHz a 870 MHz con una potenza di ingresso di 50 mW
2. 2Efficienza della potenza convertita in onde ad alta frequenza
3. 3Circuito che sopprime le perdite e trasmette i segnali accoppiando le impedenze di ingresso e uscita

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