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DA PUBBLICARE IMMEDIATAMENTE N. 3567

GaN HEMT per le stazioni terrestri SATCOM in banda Low-Ku
Single-carrier 70 W MGFK48G2732 (a sinistra) e multi-carrier 70 W MGFK48G2732A (a destra)

TOKYO, 22 dicembre 2022 - Mitsubishi Electric Corporation (TOKYO: 6503) ha annunciato oggi che due nuovi transistor ad alta mobilità elettronica basati su nitruro di gallio (GaN HEMT) da 12,75 a 13,25 GHz (banda Low-Ku) da 70 W (48,3 dBm) saranno aggiunti alla linea di GaN HEMT dell'azienda per le stazioni terrestri di comunicazione satellitare (SATCOM). I due prodotti GaN HEMT, uno per la comunicazione multi-carrier¹ e l'altro per comunicazione single-carrier², contribuiranno a una maggiore capacità di trasmissione dati e alla realizzazione di stazioni terrestri più piccole anche nella banda Low-Ku. I due prodotti verranno lanciati il 15 gennaio 2023.

I sistemi di comunicazione satellitare in banda Ku vengono sempre più utilizzati per le comunicazioni di emergenza durante i disastri naturali e per la ritrasmissione di informazioni via satellite (SNG) da parte delle emittenti televisive nelle aree rurali in cui non sono disponibili reti in fibra ottica e/o via cavo. Per le stazioni terrestri SATCOM, gli attuali sistemi mainstream utilizzano una banda da 14 GHz, ma nel prossimo futuro si prevede che utilizzino la banda Low-Ku (13 GHz) e la banda Ka (28 GHz) per soddisfare le esigenze di una maggiore capacità di trasmissione dati. Finora, Mitsubishi Electric ha introdotto una linea di sette transistor GaN HEMT per le stazioni terrestri SATCOM single-carrier e multi-carrier. I due nuovi transistor GaN HEMT da 70 W ora introdotti supporteranno anche le comunicazioni di emergenza e SNG nella banda Low-Ku.

1. 1 Metodo di comunicazione voce, video e dati che utilizza segnali carrier di varie frequenze
2. 2 Metodo di comunicazione che utilizza un segnale carrier a frequenza singola

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