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DA PUBBLICARE IMMEDIATAMENTE N. 3593
Modulo HVIGBT X-Series dual-type HV100
TOKYO, 25 aprile 2023 - Mitsubishi Electric Corporation (TOKYO: 6503) ha annunciato oggi che il 31 maggio inizierà la spedizione dei campioni di un nuovo modulo transistor bipolare a gate isolato ad alta tensione (HVIGBT) X-Series dual-type HV100, che garantisce maggiore potenza, efficienza e affidabilità nei sistemi inverter per grandi apparecchiature industriali, come sistemi ferroviari e del settore dell'energia elettrica. Il modulo dual-type, con tensione ammissibile di 4,5 kV e una resistenza dielettrica di 10,2 kVrms, ha una potenza nominale di 450 A, ritenuta senza precedenti tra i moduli in silicio HVIGBT da 4,5 kV.1 Il prodotto sarà presentato in occasione dei principali eventi fieristici, tra i quali PCIM (Power Conversion Intelligent Motion) Europe 2023 a Norimberga, Germania, dal 9 all'11 maggio.
I semiconduttori di potenza, che abilitano una conversione efficiente dell'energia elettrica, sono utilizzati in maniera crescente come dispositivi chiave che possono contribuire a ridurre l'impronta di carbonio della società globale, in particolare nell'industria pesante, in cui questi dispositivi vengono utilizzati in apparecchiature di conversione di potenza, come gli inverter nei sistemi di trazione ferroviari e di trasmissione CC. In risposta alla crescente domanda di dispositivi ad alta potenza, ad alta efficienza e con un'ampia gamma di capacità di uscita, Mitsubishi Electric nel 2021 ha rilasciato due versioni (3,3 kV/450 A e 3,3 kV/600 A) del modulo HVIGBT X-Series dual-type HV100 a elevata potenza dielettrica. Nel prossimo futuro, il nuovo modulo X-Series dual-type HV100 garantirà una potenza in uscita ancora maggiore, una maggiore efficienza e una migliore affidabilità del sistema per gli inverter utilizzati in apparecchiature industriali di grandi dimensioni che richiedono un'elevata resistenza dielettrica.
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