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Mitsubishi Electric è pronta per il rilascio dei campioni dei moduli di potenza SiC e Si serie J3La linea di sei modelli di moduli compatti T-PM e di altri moduli contribuirà a realizzare inverter più piccoli e più efficienti per gli xEV

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DA PUBBLICARE IMMEDIATAMENTE N. 3663

  • J3-T-PM

  • J3-HEXA-S

  • J3-HEXA-L


TOKYO, 23 gennaio 2024 - Mitsubishi Electric Corporation (TOKYO: 6503) ha annunciato oggi l'imminente lancio di sei nuovi moduli semiconduttori di potenza serie J3 per varie tipologie di veicoli elettrici (xEV), dotati di transistor a effetto di campo a semiconduttore di carburo metallico di silicio (SiC-MOSFET) o RC-IGBT (Si),1 con design compatto e scalabilità per l'uso negli inverter di veicoli elettrici (EV) e veicoli elettrici ibridi plug-in (PHEV). I campioni di tutti e sei i prodotti della serie J3 saranno disponibili per la spedizione a partire dal 25 marzo.
I nuovi moduli di alimentazione saranno esposti alla 38a edizione di Electronics R&D, Manufacturing and Packaging Technology Expo (NEPCON Giappone 2024) dal 24 al 26 gennaio presso il Tokyo Big Sight, Giappone, nonché in altre mostre di Nord America, Europa, Cina e altre località.
Con l'espansione e la diversificazione dei semiconduttori di potenza in grado di convertire in modo efficiente l'elettricità in risposta alle iniziative di decarbonizzazione, la domanda di semiconduttori di potenza SiC è in aumento, poiché offrono perdite di potenza significativamente ridotte. Nel settore xEV, i moduli semiconduttori di potenza sono ampiamente utilizzati nei dispositivi di conversione di potenza, come gli inverter per i motori di trazione degli xEV. Oltre a estendere l'autonomia degli xEV, i moduli compatti, ad alta potenza e ad alta efficienza sono necessari per ridurre ulteriormente le dimensioni delle batterie e degli inverter. Tuttavia, a causa degli elevati standard di sicurezza impostati per gli xEV, i semiconduttori di potenza utilizzati nei motori di trazione devono essere più affidabili di quelli utilizzati per le applicazioni industriali generiche.
Lo sviluppo di questi prodotti SiC è stato in parte supportato dalla New Energy and Industrial Technology Development Organization (NEDO) giapponese.



  1. 1IGBT a conduzione inversa con un IGBT e un diodo su un singolo chip

Nota

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