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DA PUBBLICARE IMMEDIATAMENTE N. 3709

Modulo SiC-MOSFET da 3,3 kV con SBD integrato Unifull™

TOKYO, 10 giugno 2024 - Mitsubishi Electric Corporation (TOKYO: 6503) ha annunciato oggi di aver iniziato la fornitura di versioni a bassa corrente da 3,3 kV/400 A e 3,3 kV/200 A di un modulo MOSFET (transistor metallo-ossido-semiconduttore a effetto di campo) con diodo a barriera Schottky (SBD) in carburo di silicio (SiC) integrato per grandi impianti industriali, inclusi materiale rotabile e sistemi di alimentazione elettrica, a partire da oggi 10 giugno. Insieme alla versione da 3,3 kV/800 A esistente, la nuova serie denominata Unifull™ comprende tre moduli per soddisfare la crescente domanda di inverter in grado di aumentare l'uscita di potenza e l'efficienza della conversione di potenza in grandi impianti industriali. I nuovi moduli saranno presentati in occasione dei principali eventi fieristici, tra i quali PCIM (Power Conversion Intelligent Motion) Europe 2024 a Norimberga, in Germania, dall'11 al 13 giugno.

I moduli SiC-MOSFET con SBD integrato di Mitsubishi Electric, compresa la versione da 3,3 kV/800 A rilasciata il 29 marzo, sono caratterizzati da una struttura package ottimizzata per ridurre la perdita di commutazione e migliorare le prestazioni SiC. Rispetto ai moduli di alimentazione esistenti, i moduli Unifull™ riducono significativamente la perdita di commutazione e contribuiscono a una maggiore uscita di potenza ed efficienza in grandi impianti industriali, cosa che li rende adatti per sistemi di alimentazione ausiliaria in automotrici e sistemi di azionamento con capacità relativamente ridotte.

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