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DA PUBBLICARE IMMEDIATAMENTE N. 3761

Modulo IGBT tipo LV100 da 1,2-kV per uso industriale (CM1800DW-24ME)

TOKYO, 14 gennaio 2025 - Mitsubishi Electric Corporation (TOKYO: 6503) ha annunciato oggi che a partire dal 15 febbraio fornirà campioni del nuovo modulo IGBT tipo LV100 da 1,2 kV come modulo semiconduttore di potenza per il settore industriale per sistemi di generazione di energia solare e altri sistemi per la fornitura di energia rinnovabile. Dotato di un transistor bipolare con gate isolato (IGBT) di ottava generazione, il modulo riduce al minimo le perdite di potenza e ottimizza la potenza degli inverter e di altri componenti nei sistemi di alimentazione, come i sistemi di produzione di energia fotovoltaica e le batterie di accumulo.
Il modulo sarà presentato in occasione della 39a edizione di Electronics R&D, Manufacturing and Packaging Technology Expo (NEPCON Giappone 2025) dal 22 al 24 gennaio presso il Tokyo Big Sight, Giappone, nonché in altre mostre di Nord America, Europa, Cina e altre località.

Dalla loro presentazione nel 1990, i moduli semiconduttori di potenza basati su IGBT di Mitsubishi Electric sono stati apprezzati per le loro eccellenti prestazioni e l'elevata affidabilità, principalmente per diverse applicazioni nei settori dell'elettronica di consumo, automobilistico, industriale e ferroviario. L'azienda ha ora sviluppato il suo chip IGBT di ottava generazione con strutture originali split-dummy-active (SDA¹) e controlling-carrier plasma-layer (CPL²).

Rispetto a un prodotto esistente,³ il nuovo modulo LV100 da 1,2 kV con chip IGBT di ottava generazione riduce le perdite di potenza di circa il 15%⁴ negli inverter utilizzati nei sistemi di generazione di energia solare, batterie di accumulo e altro ancora. Inoltre, la corrente nominale di 1.800 A, 1,5 volte superiore a quella del prodotto esistente summenzionato,³ si ottiene con l'ottimizzazione del layout dei chip IGBT e a diodo, cosa che si prevede aumenterà la potenza dell'inverter. Inoltre, il package convenzionale del modulo è facile da collegare in parallelo e può ospitare configurazioni di inverter che coprono un'ampia gamma di capacità.
Con l'aumento della domanda di semiconduttori di potenza, Mitsubishi Electric prevede di ampliare il risparmio energetico delle apparecchiature elettroniche in vari campi e di fornire questi prodotti in modo rapido e stabile per supportare la transizione verde (GX).

1. 1Ottimizza la capacità del gate dividendo la struttura di tipo trench in due stadi.
2. 2Forma uno strato N profondo sul retro dei chip per fornire il controllo del carrier durante il funzionamento dinamico.
3. 3Confronto con CM1200DW-24T.
4. 4Calcoli basati sulle simulazioni di Mitsubishi Electric: 3 livelli A-NPC, Vcc=750 V, Io=920 Arms, M=0,65, PF=1, Fc=2,5 kHz, Fo=50 Hz.

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