TOKYO, 30 gennaio 2025 - Mitsubishi Electric Corporation (TOKYO: 6503) ha annunciato oggi l'avvio dello sviluppo di un prototipo per dimostrare una tecnologia di stima della temperatura di giunzione per i moduli di potenza, attività che sta portando avanti come partner del progetto Horizon Europe dell'Unione europea volto a sviluppare moduli di potenza avanzati e a migliorare l'efficienza in termini di costi della generazione di energia da fonti rinnovabili. L'azienda partecipa attraverso la sua controllata europea Mitsubishi Electric R&D Centre Europe B.V., che si è unita al progetto denominato Flagship Advanced Solutions for Condition and Health Monitoring in Power Electronics (FLAGCHIP)^*.
Nello sforzo globale di espandere l'introduzione di energia rinnovabile per sostenere la neutralità in termini di emissioni di carbonio, la necessità di migliorare l'affidabilità e la manutenzione dei dispositivi elettronici per la conversione di energia è diventata sempre più impellente. L'attenzione si sta concentrando in particolare sulle innovazioni tecnologiche volte a rafforzare l'affidabilità dei moduli di potenza e a migliorare i metodi di acquisizione e analisi dei dati per determinare con precisione le condizioni di degrado, al fine di favorire una più tempestiva manutenzione.
Il progetto FLAGCHIP coinvolge attualmente 11 aziende e istituzioni accademiche di nove paesi europei^** impegnate nello sviluppo di moduli di potenza avanzati, tecnologie di monitoraggio delle condizioni e dello stato di salute e nell'elaborazione di metodi per calcolare l'efficienza in termini di costi dei sistemi di generazione di energia rinnovabile e ridurre i costi associati. Le dimostrazioni dei sistemi di generazione di energia eolica e solare che utilizzano tali tecnologie e metodi saranno condotte presso strutture di prova di proprietà dei partner del progetto in Norvegia e Francia. Mitsubishi Electric si occuperà della dimostrazione di una tecnologia in grado di stimare la temperatura di giunzione dei chip a semiconduttori SiC-MOSFET (transistor a effetto di campo con struttura metallo-ossido-semiconduttore in carburo di silicio) all'interno del modulo di potenza, che fornirà i dati necessari per una stima accurata del degrado del modulo. A partire dall'ottobre 2026, la dimostrazione utilizzerà il prototipo appena sviluppato in un impianto di prova in Francia, dove la corrente continua (CC) viene convertita in una tensione CC specifica per un sistema di generazione di energia eolica.