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Modulo HVIGBT XB Series (tipo 3,3 kV/1500 A)

Il nuovo modulo HVIGBT XB Series da 3,3 kV/1500 A utilizza elementi IGBT che incorporano il diodo a campo rilassato di catodo (RFC) proprietario di Mitsubishi Electric e la struttura a transistor bipolare trench-gate con portante (CSTBT¹). In particolare, il modulo riduce la perdita totale di commutazione di circa il 15%² rispetto ai modelli precedenti, contribuendo a una maggiore efficienza negli inverter. Inoltre, aumenta la tolleranza nell’area di funzionamento sicuro a recupero inverso (RRSOA) di circa il 25^%3 rispetto ai modelli precedenti, migliorando ulteriormente l’affidabilità dell’inverter. Inoltre, utilizzando una nuova struttura di rilassamento del campo elettrico⁴ e una struttura di controllo della carica superficiale⁵ nell’area di terminazione del chip, Mitsubishi Electric ha ridotto le dimensioni dell’area di circa il 30% raggiungendo una resistenza all’umidità circa 20 volte⁶ maggiore rispetto ai prodotti esistenti, contribuendo a un funzionamento più stabile degli inverter utilizzati in ambienti ad alta umidità. Migliorando ulteriormente l’efficienza e l’affidabilità degli inverter per le grandi apparecchiature industriali che operano in vari ambienti, il modulo dovrebbe contribuire agli sforzi per raggiungere la neutralità carbonica.