TOKYO, 14 gennaio 2026 – Mitsubishi Electric Corporation (TOKYO: 6503)  ha annunciato oggi che, a partire dal 21 gennaio, avvierà la spedizione di campioni di quattro nuovi campioni bare dies (chip non racchiusi in un involucro protettivo) SiC-MOSFET, ovvero transistor a effetto di campo metallo-ossido-semiconduttore in carburo di silicio, di tipo trench¹, sviluppati per l’uso in apparecchiature per elettronica di potenza quali inverter di trazione² per veicoli elettrici (EV), caricabatterie di bordo³ e sistemi di alimentazione per fonti di energia rinnovabile, inclusi gli impianti fotovoltaici. Questi nuovi bare dies per semiconduttori di potenza contribuiranno a promuovere l’integrazione di soluzioni avanzate di questo tipo in un’ampia gamma di apparecchiature per elettronica di potenza, consentendo di ridurre i consumi energetici senza compromettere le prestazioni.

Mitsubishi Electric esporrà i nuovi bare dies SiC-MOSFET di tipo trench al 40º Nepcon Japan R&D and Manufacturing Show, in programma a Tokyo dal 21 al 23 gennaio, nonché in altre fiere in Nord America, Europa, Cina, India e altre località.

Si prevede che il mercato delle apparecchiature per elettronica di potenza si espanderà in linea con gli sforzi globali volti alla decarbonizzazione. In questo contesto, è in aumento la domanda di semiconduttori di potenza che integrano bare dies ad alta efficienza, in grado di ridurre i consumi energetici degli inverter di trazione EV e dei sistemi di alimentazione per le energie rinnovabili, mantenendo al contempo elevati livelli di prestazioni e qualità.

Dal 2010, Mitsubishi Electric commercializza moduli di semiconduttori di potenza in carburo di silicio (SiC) che consentono una significativa riduzione dei consumi energetici nei sistemi di climatizzazione, nelle apparecchiature industriali e negli inverter per veicoli ferroviari. Per soddisfare la domanda di bare dies avanzati per semiconduttori di potenza, Mitsubishi Electric introduce quattro nuovi bare dies SiC-MOSFET di tipo trench, basati su una tecnologia analoga a quella dei bare dies SiC-MOSFET di tipo trench già presenti nel portafoglio dell’azienda⁴, ma caratterizzati da una struttura SiC-MOSFET trench proprietaria che consente di ridurre le perdite di potenza di circa il 50%⁵ rispetto ai SiC-MOSFET planari⁶. Inoltre, processi produttivi avanzati, tra cui il metodo proprietario di produzione delle pellicole di ossido di gate di Mitsubishi Electric, consentono di limitare le variazioni nella perdita di potenza e nella resistenza, garantendo una qualità stabile e affidabile anche in applicazioni di lungo periodo.