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TOKYO, 4 giugno 2026 – Mitsubishi Electric Corporation (TOKYO: 6503) ha annunciato oggi che a partire dalla fine di giugno inizierà a distribuire gradualmente campioni di due nuovi tipi di transistor a effetto di campo metallo-ossido-semiconduttore in carburo di silicio (SiC-MOSFET) di quinta generazione, in formato bare die. I nuovi SiC-MOSFET sono progettati per l’uso in inverter per motori di trazione ed eAxle¹ di veicoli elettrici (EV), veicoli ibridi plug-in (PHEV) e altri veicoli elettrificati (xEV). Presentano la struttura trench proprietaria di Mitsubishi Electric² e raggiungono una bassa resistenza di conduzione leader del settore³, circa il 25% inferiore⁴ rispetto a quella dei prodotti esistenti⁵.

I prodotti saranno esposti al PCIM Expo & Conference 2026 (9-11 giugno, Norimberga, Germania) nonché a fiere in Giappone, Cina e altri paesi.

I bare die SiC-MOSFET di quinta generazione di Mitsubishi Electric contribuiranno alle prestazioni e alla miniaturizzazione degli inverter e degli eAxle per xEV, estendendo l’autonomia e migliorando l’efficienza energetica degli xEV. Inoltre, la tecnologia di processo produttivo proprietaria dell’azienda limita il degrado delle prestazioni e le fluttuazioni della perdita di potenza e della resistenza in conduzione, garantendo una qualità stabile anche dopo un utilizzo a lungo termine e contribuendo alla durata e alle prestazioni degli inverter xEV e degli eAxle.