Il presente testo è una traduzione della versione inglese ufficiale del comunicato stampa e viene fornito unicamente per comodità di consultazione. Fare riferimento al testo inglese originale per conoscere i dettagli e/o le specifiche. In caso di eventuali discrepanze, prevale il contenuto della versione inglese originale.

DA PUBBLICARE IMMEDIATAMENTE N. 3733

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  Lavorazione dei wafer Si da 12 pollici per la produzione di chip

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  Linea di lavorazione dei wafer Si da 12 pollici (wafer da 8 pollici a destra)

TOKYO, 30 settembre 2024 - Mitsubishi Electric Corporation (TOKYO: 6503) ha annunciato oggi che la fabbrica Power Device Works di Fukuyama ha iniziato, con effetto immediato, la fornitura su larga scala di chip per semiconduttori di potenza realizzati con wafer al silicio (Si) da 12 pollici per l'assemblaggio di moduli semiconduttori. I moduli semiconduttori di potenza verranno inizialmente utilizzati nei prodotti di consumo. In futuro, Mitsubishi Electric prevede di contribuire alla transizione verde (GX) attraverso una fornitura costante e tempestiva di chip per semiconduttori per soddisfare la crescente domanda di dispositivi elettronici a risparmio energetico in varie applicazioni.

La fabbrica di Fukuyama lavora i wafer per la produzione di semiconduttori di potenza Si. La fabbrica svolge un ruolo chiave nel piano a medio termine di Mitsubishi Electric per raddoppiare la capacità di lavorazione dei wafer per i semiconduttori di potenza Si entro l'anno fiscale 2026 rispetto ai cinque anni precedenti. Fornendo grandi quantità di wafer Si da 12 pollici per i chip per semiconduttori di potenza, l'azienda garantirà una produzione stabile di moduli semiconduttori di potenza Si avanzati per dispositivi elettronici a risparmio energetico.

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